Общие характеристики
Socket LGA2011-3
Ядро Broadwell-EP
Количество ядер 10
Техпроцесс 14 нм

Частотные характеристики
Тактовая частота 2400 МГц
Системная шина QPI
Напряжение на ядре 0,65 В
Встроенный контроллер памяти есть, полоса 68.3 ГБ/с

Кэш
Объем кэша L1 640 Кб
Объем кэша L2 2560 Кб
Объем кэша L3 25600 Кб

Наборы команд
Поддержка Hyper-Threading есть
Инструкции MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4
Поддержка AMD64/EM64T есть
Поддержка NX Bit есть
Поддержка Virtualization Technology есть

Дополнительно
Типичное тепловыделение 90 Вт
Максимальная рабочая температура 76 °C
Поддержка Intel vPro есть
Дополнительная информация напряжение на ядре 0.65–1.30В

Гарантия 12 мес.