"Вместо одного транзистора в подложке, контролирующего каждую ячейку, у нас есть ячейка со встроенным диодом для доступа, что и позволяет укладывать столько слоёв памяти, сколько возможно для данной конструкции. Всё решилось устранением нижнего электрода и заменой его кремнием", - говорит Козики. Таким образом, ёмкость памяти существенно увеличивается. По мнению ученого, подобная технология – единственная для полупроводниковой памяти, способная конкурировать с жёсткими дисками в плане стоимости и объёма хранимых данных.
 

по материалам 3dnews.ru